[发明专利]薄膜晶体管的沟道区的最终宽长比确定方法及装置有效
| 申请号： | 201811385425.3 | 申请日： | 2018-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN109545688B | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 胡迎宾;赵策;丁远奎;宋威;汪军;张扬;李伟;闫梁臣 | 申请（专利权）人： | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 姜春咸;陈源 |
| 地址： | 230012 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管的沟道区的最终宽长比确定方法，所述确定方法包括：S1、设置栅极在有源层上的正投影的初始宽长比；S2、根据初始宽长比制得薄膜晶体管；S3、对根据初始宽长比制得的薄膜晶体管进行测试；S4、判断测试结果是否满足预定结果；若是，执行步骤S5，若否，执行步骤S6；S5、确定所述初始宽长比为所述薄膜晶体管的沟道区的最终宽长比；S6、改变初始宽长比的数值，并重复执行步骤S2至步骤S4。本发明还提供一种薄膜晶体管的沟道区的最终宽长比确定装置；所述确定方法用于通过多次的调节、测试获得薄膜晶体管的沟道区的最终宽长比。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 沟道 最终 确定 方法 装置 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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