[发明专利]薄膜晶体管的沟道区的最终宽长比确定方法及装置

说明书

本发明提供一种薄膜晶体管的沟道区的最终宽长比确定方法，所述确定方法包括：S1、设置栅极在有源层上的正投影的初始宽长比；S2、根据初始宽长比制得薄膜晶体管；S3、对根据初始宽长比制得的薄膜晶体管进行测试；S4、判断测试结果是否满足预定结果；若是，执行步骤S5，若否，执行步骤S6；S5、确定所述初始宽长比为所述薄膜晶体管的沟道区的最终宽长比；S6、改变初始宽长比的数值，并重复执行步骤S2至步骤S4。本发明还提供一种薄膜晶体管的沟道区的最终宽长比确定装置；所述确定方法用于通过多次的调节、测试获得薄膜晶体管的沟道区的最终宽长比。

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管技术领域，具体地，涉及一种薄膜晶体管的沟道区的最终宽长比确定方法、以及一种薄膜晶体管的沟道区的最终宽长比确定装置。

背景技术

薄膜晶体管是微电子设备中的重要元件，薄膜晶体管的性能对微电子设备的性能有着重要的影响。对于薄膜晶体管而言，衡量其性能的指标包括开启电流、载流子迁移率、阈值电压等，而薄膜晶体管的沟道区的宽长比对上述指标具有决定性的影响。

因此，为了获得性能良好的薄膜晶体管，在量产制造薄膜晶体管之前就应当确定薄膜晶体管的沟道区的宽长比。

目前尚无有效确定薄膜晶体管的沟道区的宽长比的方法。

发明内容

本发明的目的在于提供一种薄膜晶体管的沟道区的最终宽长比确定方法，以及一种执行所述确定方法的薄膜晶体管的沟道区的最终宽长比确定装置；所述确定方法用于通过多次的调节、测试获得薄膜晶体管的沟道区的最终宽长比。

为解决上述技术问题，作为本发明第一个方面，提供一种薄膜晶体管的沟道区的最终宽长比确定方法，其中，所述确定方法包括：

S1、设置栅极在有源层上的正投影的初始宽长比；

S2、根据初始宽长比制得薄膜晶体管；

S3、对根据初始宽长比制得的薄膜晶体管进行测试；

S4、判断测试结果是否满足预定结果；

若是，执行步骤S5，若否，执行步骤S6；

S5、确定所述初始宽长比为所述薄膜晶体管的沟道区的最终宽长比；

S6、改变初始宽长比的数值，并重复执行步骤S2至步骤S4。

优选地，步骤S2包括：

形成有源层；

形成栅极绝缘层；

形成栅极材料层；

图案化所述栅极材料层以形成栅极，所述栅极绝缘层将所述栅极与所述有源层绝缘间隔。

优选地，所述图案化所述栅极材料层以形成栅极的步骤包括：

形成光刻胶层；

利用掩膜板对所述光刻胶层进行曝光；

对曝光后的光刻胶层进行显影，以形成保护图形，所述保护图形的形状与所述栅极的形状一致；

以所述保护图形为掩膜刻蚀所述栅极材料层以形成所述栅极。

优选地，所述薄膜晶体管的源极和所述薄膜晶体管的漏极分别位于所述有源层的长度方向的两端，所述栅极在所述有源层上的正投影在所述有源层的宽度方向的尺寸小于所述有源层的宽度，在制造不同的薄膜晶体管时，利用同一个掩膜板执行所述利用掩膜板对所述光刻胶层进行曝光显影的步骤，其中，所述掩膜板的曝光区域在光刻胶层的上正投影在有源层的宽度方向上的相对位置不同于在制造前一个测试结果不满足预定结果的薄膜晶体管的栅极时，所述掩膜板的曝光区域在光刻胶层的上正投影在有源层的宽度方向上的相对位置。