[发明专利]三维存储器及其形成方法

摘要

一种三维存储器及其形成方法，其中，形成方法包括：形成存储晶圆，所述存储晶圆的形成方法包括：提供第一衬底；在所述第一衬底上形成若干个NAND串；形成外围电路晶圆，所述外围电路晶圆的形成方法包括：提供第二衬底；在所述第二衬底上形成若干个外围器件；在所述外围器件上形成若干位线，所述位线位于所述外围电路晶圆的表面，并与若干所述外围器件电连接；使所述存储晶圆与外围电路晶圆连接，且若干所述位线与若干所述NAND串一一对应连接。所述方法能够减小三维存储器的制造时间。

主权项

1.一种三维存储器，其特征在于，包括：存储晶圆，所述存储晶圆包括：第一衬底；位于所述第一衬底上的若干NAND串；与所述存储晶圆连接的外围电路晶圆，所述外围电路晶圆包括：第二衬底；位于所述第二衬底上的若干外围器件；位于所述外围器件上的若干位线，所述位线位于所述外围电路晶圆的表面，位线与若干所述外围器件电连接，且若干所述位线与若干所述NAND串一一对应连接。