[发明专利]IGBT芯片的背面结构、IGBT芯片结构及制备方法有效
| 申请号： | 201811379016.2 | 申请日： | 2018-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN109671771B | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 曹功勋;朱涛;刘瑞;吴昊;金锐;吴军民;潘艳 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司;国网湖北省电力有限公司;国家电网有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/265;H01L29/06;H01L29/40;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 马永芬 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种IGBT芯片的背面结构、IGBT芯片结构及制备方法，背面结构包括：缓冲层和掺杂层，掺杂层为在缓冲层进行离子注入形成；终端区及过渡区的掺杂层通过一次高温退火处理；有源区的掺杂层通过两次高温退火处理，实现有源区与终端区的不同空穴注入效率，改善IGBT过渡区存在的电流集中问题，提高可靠性。与现有技术中采用光刻工艺在有源区和终端区背面分别注入不同剂量的掺杂离子来实现有源区与终端区背面集电极不同注入效率的处理方式相比，仅采用了退火工艺，省去了光刻工艺，节约了制造成本。另外在缓冲层注入惰性离子缺陷层，形成缺陷层，使IGBT背面集电极可以采用更高的掺杂浓度，IGBT背面与背面金属容易形成良好的欧姆接触，降低IGBT通态压降。 | ||
| 搜索关键词： | igbt 芯片 背面 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种IGBT芯片的背面结构，其特征在于，包括：缓冲层和掺杂层；其中，所述掺杂层为在缓冲层的第一预设深度进行离子注入所形成；位于所述缓冲层的终端区及过渡区的所述掺杂层通过第一预设高温退火处理；位于所述缓冲层的有源区的所述掺杂层通过第一预设高温退火处理及第二预设高温退火处理。
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