[发明专利]半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201811377641.3 | 申请日： | 2018-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN109494191A | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | 李漾;赵东光 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，所述半导体器件的制备方法包括：提供衬底，衬底包括第一区和第二区，第一区用于形成第一晶体管，第二区用于形成第二晶体管；第一区上形成有第一栅极，第二区上形成有第二栅极；在第一栅极和第二栅极的侧壁形成第一侧墙；对第一区进行离子注入，以在第一栅极两侧的衬底内形成第一晶体管的源漏区；在第一侧墙的侧壁形成第二侧墙；以及对第二区进行离子注入，以在第二栅极两侧的衬底内形成第二晶体管的源漏区，第一晶体管的源漏区与第一栅极的间距小于第二晶体管的源漏区与第二栅极的间距。本发明能够使同时带有NMOS晶体管和PMOS晶体管的半导体器件整体上达到最优化的器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 半导体器件 第一区 源漏区 衬底 侧墙 制备 侧壁 离子 器件性能 最优化 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底包括第一区和第二区，所述第一区用于形成第一晶体管，所述第二区用于形成第二晶体管；所述第一区上形成有第一栅极，所述第二区上形成有第二栅极；在所述第一栅极和第二栅极的侧壁形成第一侧墙；对所述第一区进行离子注入，以在第一栅极两侧的衬底内形成第一晶体管的源漏区；至少在所述第二栅极的第一侧墙的侧壁形成第二侧墙；以及对所述第二区进行离子注入，以在第二栅极两侧的衬底内形成第二晶体管的源漏区，所述第一晶体管的源漏区与第一栅极的间距小于所述第二晶体管的源漏区与第二栅极的间距。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
