[发明专利]深紫外发光二极管芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 201811375706.0 | 申请日： | 2018-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN109524526B | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 张爽;张会雪;王帅;戴江南;陈长清 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 42231 | 代理人： | 黄君军 |
| 地址： | 436044 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种深紫外发光二极管芯片，包括外延结构、位于所述外延结构上的P型金属电极层，P型金属电极层开设有若干个孔洞，且相邻两层孔洞所在位置相互对应；所述芯片还包括N型金属电极层与导联层，所述N型金属电极层包括若干列电极柱，每列电极柱包括若干个子电极柱，所述子电极柱一一连接在所述N‑AlGaN层的孔洞内，所述子电极柱的直径小于所述孔洞的直径；相邻两个所述子电极柱的中心间距相等。本发明还涉及一种深紫外发光二极管芯片的制备方法，与传统的长条形电极深紫外LED相比，本发明提出的深紫外发光二极管的墙插效率大幅度提高，工作产生的热损耗也大幅度降低，进一步提升了产品使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 深紫 发光二极管 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种新型深紫外发光二极管芯片，其特征在于，包括外延结构、位于所述外延结构上的P型金属电极层，所述外延结构包括依次设置的衬底、N‑AlGaN层、发光层、P‑GaN层；所述N‑AlGaN层、发光层、P‑GaN层以及P型金属电极层均开设有若干个孔洞，且相邻两层孔洞所在位置相互对应；所述芯片还包括N型金属电极层与导联层，所述N型金属电极层包括若干列电极柱，每列电极柱包括若干个子电极柱，所述子电极柱一一连接在所述N‑AlGaN层的孔洞内，所述子电极柱的直径小于所述孔洞的直径；相邻两个所述子电极柱的中心间距相等；所述导联层包括若干个连接柱，所述连接柱贯穿所述P型金属电极层与所述子电极柱一一连接。
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