[发明专利]一种静电泄放电路及装置在审
| 申请号： | 201811364633.5 | 申请日： | 2018-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN109449155A | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 张登军;李建球;安友伟;余作欢;杨小龙;刘大海;张亦锋;李迪;陈晓君;逯钊琦 | 申请（专利权）人： | 合肥博雅半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 梁嘉琦 |
| 地址： | 230012 安徽省合肥市新站区当涂北路5*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种静电泄放电路及装置，其中的静电泄放电路包括PAD、PN二极管D1、PN二极管D2、NPN三极管Q1和NPN三极管Q2；所述PN二极管D1的正极、PN二极管D2的负极、PAD以及NPN三极管Q1和NPN三极管Q2的集电极连接于一起，所述PN二极管D1的负极和NPN三极管Q2的发射极均连接到电源端VCC，所述PN二极管D2的正极和NPN三极管Q1的负极共同连接到参考地GND。相比于传统技术，本发明可以实现芯片到电源端之间的负电荷泄放，从而保护芯片不受损坏，并且可适用于多种不同的情况，大大提升了芯片的安全系数。 | ||
| 搜索关键词： | 静电泄放电路 负极 正极 电源端 芯片 集电极连接 安全系数 保护芯片 参考地 发射极 负电荷 泄放 | ||
【主权项】：
1.一种静电泄放电路，其特征在于：包括PAD、PN二极管D1、PN二极管D2、NPN三极管Q1和NPN三极管Q2；所述PN二极管D1的正极、PN二极管D2的负极、PAD以及NPN三极管Q1和NPN三极管Q2的集电极连接于一起，所述PN二极管D1的负极和NPN三极管Q2的发射极均连接到电源端VCC，所述PN二极管D2的正极和NPN三极管Q1的负极共同连接到参考地GND。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
