[发明专利]用于钝化CsI(TI)晶体表面缺陷的抛光工艺有效
| 申请号： | 201811358652.7 | 申请日： | 2018-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN109262377B | 公开（公告）日： | 2019-09-03 |
| 发明（设计）人： | 朱溢佞;张慧滔;张朋;翟慕岳;王姗姗 | 申请（专利权）人： | 首都师范大学;北京理工大学 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00 |
| 代理公司： | 北京汇智胜知识产权代理事务所(普通合伙) 11346 | 代理人： | 石辉 |
| 地址： | 100048 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于钝化CsI(TI)晶体表面缺陷的抛光工艺，其包括：步骤1，清洁CsI(TI)晶体；步骤2，吹干CsI(TI)晶体；步骤3，将CsI(TI)晶体放入等离子体气体加工设备的反应室中；步骤4，利用等离子体气体加工设备对CsI(TI)晶体加工处理，其包括：步骤41，往等离子体气体加工设备输入氦气、六氟化硫与四氟化碳的混合气体，氦气和混合气体形成等离子体气体；步骤42，将等离子体气体喷射到CsI(TI)晶体的表面；步骤5，返回步骤4，循环加工处理已加工处理过的CsI(TI)晶体；步骤6，干燥处理经由步骤5处理好的CsI(TI)晶体放入干燥箱。本发明能够在保持面形精度与表面粗糙度的前提下，高效稳定地去除CsI(TI)晶体表面材料，钝化表面划痕，从而有效地提升CsI(TI)晶体的抗辐照损伤能力。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体气体 加工设备 晶体表面 抛光工艺 晶体的 离子体 钝化 放入 氦气 抗辐照损伤能力 混合气体形成 表面粗糙度 钝化表面 干燥处理 混合气体 晶体加工 六氟化硫 四氟化碳 循环加工 反应室 干燥箱 有效地 吹干 划痕 面形 去除 喷射 清洁 返回 | ||
【主权项】：
1.一种用于钝化CsI(TI)晶体表面缺陷的抛光工艺，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，通过将CsI(TI)晶体浸泡在丙酮的方式，清洁处理CsI(TI)晶体的表面；步骤2，利用过滤后的洁净氮气，吹干步骤1中清洁好的CsI(TI)晶体；步骤3，将经由步骤2吹干的CsI(TI)晶体放入等离子体气体加工设备中；步骤4，利用等离子体气体加工设备对CsI(TI)晶体进行加工处理，加工处理时间控制为第一时间值，其具体包括：步骤41，将等离子体气体加工设备的RF高频发生器的功率设定为第一功率值，往等离子体气体加工设备输入两路气体，一路气体为氦气，另一路气体为六氟化硫与四氟化碳的混合气体，氦气的气体流量设定为第一流量值，六氟化硫与四氟化碳的混合气体的气体流量设定为第二流量值；氦气和混合气体进入等离子体气体加工设备的反应室，形成等离子体气体；步骤42，将步骤41获得的等离子体气体喷射到CsI(TI)晶体的表面，且等离子体气体的喷射方向与CsI(TI)晶体的表面之间的夹角设定为第一预设角度值，CsI(TI)晶体表面的平均温度控制在第一温度范围内；步骤5，返回步骤4，循环加工处理已加工处理过的CsI(TI)晶体，循环次数设定为预设次数；步骤6，干燥处理经由步骤5处理好的CsI(TI)晶体放入干燥箱。
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