[发明专利]SiC氧化中SiC-SiO2界面碳残留浓度的测定方法及其应用有效
| 申请号： | 201811349529.9 | 申请日： | 2018-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN109283298B | 公开（公告）日： | 2019-07-30 |
| 发明（设计）人： | 刘新宇;王盛凯;白云;汤益丹;韩忠霖;杨成樾;田晓丽;陈宏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G01N33/00 | 分类号： | G01N33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 崔亚松 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种SiC氧化中SiC‑SiO2界面碳残留浓度的测定方法，包括：提供一个包含SiC‑SiO2界面的碳化硅衬底，所述包含SiC‑SiO2界面的碳化硅衬底由SiC氧化获得；利用离子注入向所述碳化硅衬底内注入18O同位素，18O同位素与SiC‑SiO2界面碳生成一氧化碳C18O；加热所述碳化硅衬底使一氧化碳C18O脱附；收集脱附出来的一氧化碳C18O，并检测其质量；根据一氧化碳C18O的质量计算SiC‑SiO2界面碳残留浓度。本发明的方法操作简单，准确度高，适用于通过各种方法氧化SiC衬底得到的SiC‑SiO2界面碳残留，通过筛选合格碳残留浓度的SiC衬底，可以提高产品的稳定性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 一氧化碳 碳化硅 残留 同位素 脱附 质量计算 准确度 加热 离子 筛选 检测 应用 | ||
【主权项】：
1.一种SiC氧化中SiC‑SiO2界面碳残留浓度的测定方法，包括：提供一个包含SiC‑SiO2界面的碳化硅衬底，所述包含SiC‑SiO2界面的碳化硅衬底由SiC氧化获得；利用离子注入向所述碳化硅衬底内注入18O同位素，18O同位素与SiC‑SiO2界面碳生成一氧化碳C18O；加热所述碳化硅衬底使一氧化碳C18O脱附；收集脱附出来的一氧化碳C18O，并检测其质量；根据一氧化碳C18O的质量计算SiC‑SiO2界面碳残留浓度。
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