[发明专利]具有管道加热功能的半导体制造装置在审
| 申请号： | 201811344872.4 | 申请日： | 2018-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN111180353A | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种具有管道加热功能的半导体制造装置，本发明的实施例的具有管道加热功能的半导体制造装置包括进行半导体加工工艺的工艺腔室、使所述工艺腔室保持真空状态的真空泵以及由不锈钢管构成且用于连接所述工艺腔室和所述真空泵之间的前级管道，其包括：热交换器，设置于所述工艺腔室及所述真空泵的外侧，用于产生加热所述前级管道所需的热量；以及热交换管，与所述热交换器相连接，以盘绕于所述前级管道的外周面全体的方式设置，利用所述热交换管中流动的流体向所述前级管道均匀地供应所述热量。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 管道 加热 功能 半导体 制造 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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