[发明专利]一种半导体芯片封装方法在审
| 申请号： | 201811341282.6 | 申请日： | 2018-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN109390365A | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 俞国庆 | 申请（专利权）人： | 通富微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 李庆波 |
| 地址： | 226000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体芯片封装方法，所述方法包括：提供芯片，所述芯片包括正面和背面，所述芯片的正面设置有感光区和位于感光区周围的焊盘，且所述焊盘背对所述芯片一侧形成有金属件，所述芯片的正面形成有透明保护层，且所述金属件远离所述焊盘的第一端与所述透明保护层齐平，所述金属件的所述第一端不覆盖所述透明保护层；利用具有导电性能的折板电性连接所述金属件的所述第一端和电路板，以使得所述芯片与所述电路板电连接。通过上述方式，本申请能够提高芯片的感光效果。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 金属件 透明保护层 第一端 焊盘 半导体芯片封装 电路板 感光区 导电性能 电性连接 感光效果 正面设置 电连接 背对 齐平 折板 申请 背面 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种半导体芯片封装方法，其特征在于，所述封装方法包括：提供芯片，所述芯片包括正面和背面，所述芯片的正面设置有感光区和位于感光区周围的焊盘，且所述焊盘背对所述芯片一侧形成有金属件，所述芯片的正面形成有透明保护层，且所述金属件远离所述焊盘的第一端与所述透明保护层齐平，所述金属件的所述第一端不覆盖所述透明保护层；利用具有导电性能的折板电性连接所述金属件的所述第一端和电路板，以使得所述芯片与所述电路板电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
