[发明专利]垂直半导体器件

摘要

提供了一种垂直半导体器件，其可包括第一和第二栅极图案、第一和第二沟道孔及第一和第二半导体图案。第一栅极图案可在包括第一和第二区域的衬底上沿第一方向延伸。第一栅极图案的在第二区域上的部分可包括第一开口。第二栅极图案可在第一栅极图案上垂直堆叠且彼此隔开，每个第二栅极图案可沿第一方向延伸。第一沟道孔可延伸穿过第二和第一栅极图案并在衬底的第一区域上暴露衬底的第一部分。第一半导体图案可位于第一沟道孔的下部处。第二沟道孔可延伸穿过第二栅极图案并在衬底的第二区域上暴露衬底的第二部分，第二沟道孔在俯视图中可设置在第一开口的区域内，第一开口的面积比第二沟道孔的面积大。第二半导体图案可位于第二沟道孔的下部处。

主权项

1.一种垂直半导体器件，所述垂直半导体器件包括：第一栅极图案，所述第一栅极图案在包括第一区域和第二区域的衬底上沿第一方向延伸，所述第一方向平行于所述衬底的上表面，所述第一栅极图案的在所述第二区域上的部分包括第一开口；第二栅极图案，所述第二栅极图案在所述第一栅极图案上垂直堆叠并且所述第二栅极图案彼此间隔开，每个所述第二栅极图案沿所述第一方向延伸；第一沟道孔，所述第一沟道孔延伸穿过所述第二栅极图案和所述第一栅极图案，并且在所述衬底的所述第一区域上暴露所述衬底的第一部分；第一半导体图案，所述第一半导体图案在所述第一沟道孔的下部处；第二沟道孔，所述第二沟道孔延伸穿过所述第二栅极图案，并在所述衬底的所述第二区域上暴露所述衬底的第二部分，在俯视图中，所述第二沟道孔设置在所述第一开口的区域内，其中，在俯视图中，所述第一开口的面积大于所述第二沟道孔的面积；以及第二半导体图案，所述第二半导体图案在所述第二沟道孔的下部处。