[发明专利]一种半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201811314323.2 | 申请日： | 2018-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN111146288A | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 肖魁;方冬;卞铮 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，包括：半导体衬底；沟槽，形成于所述半导体衬底中；层间介电层，形成于所述沟槽和所述半导体衬底上方；接触孔，形成于所述层间介电层和所述半导体衬底中；第一源/漏区和第二源/漏区，所述第一源/漏区和所述第二源/漏区均通过所述接触孔形成，其可以省去源/漏区掩模板，同时省去制造光刻环节，节省制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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