[发明专利]一种化学腐蚀液在硅片表面制绒中的应用

摘要

本发明提供了一种化学腐蚀液，属于硅片刻蚀技术领域；该化学腐蚀液的特征在于包含有MnO2颗粒的HNO3/HF/H2O溶液。将该腐蚀液用于硅片腐蚀时，MnO2颗粒沉降于硅片表面起到掩膜的作用，使HNO3/HF/H2O腐蚀硅片的反应主要在MnO2颗粒之间的区域发生，由此可以提高腐蚀坑的高宽比，降低硅片表面的光反射率；同时，MnO2颗粒与硅接触的位置将硅氧化成SiO2，生成的SiO2再被HF去除，露出的硅与MnO2接触并继续发生如上反应，逐渐消耗MnO2颗粒，反应的综合效果是改善了绒面的减反射性能，从而能够在多晶硅片表面得到反射率较低的高性能绒面，且具有工艺简单、成本低的优点。