[发明专利]一种测试RAM的方法在审
| 申请号： | 201811307894.3 | 申请日： | 2018-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN109545268A | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 尹文芹;段媛媛;贾红;程显志;陈维新;韦嶔 | 申请（专利权）人： | 西安智多晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/18 | 分类号： | G11C29/18;G11C29/36;G11C29/42 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710075 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种测试RAM的方法，包括步骤：将第一数据写入待测试RAM的地址单元中，其中，第一数据包括随机数；读取所述地址单元，得到第二数据；校验第一数据和第二数据，分别得到第一校验数据和第二校验数据；比较第一校验数据与第二校验数据是否一致。本发明实施例测试RAM的方法通过采用随机数对RAM进行测试，避免了测试数据过于片面的问题，测试覆盖率高，使得RAM中的错误能够充分检测出来，更有效地检测了待测试RAM，从而提高了测试的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 校验数据 第一数据 地址单元 随机数 读取 测试覆盖率 测试数据 校验 有效地 检测 写入 | ||
【主权项】：
1.一种测试RAM的方法，其特征在于，包括步骤：将第一数据写入待测试RAM的地址单元；读取所述地址单元，得到第二数据；校验所述第一数据和所述第二数据，分别得到第一校验数据和第二校验数据；比较所述第一校验数据与所述第二校验数据是否一致。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安智多晶微电子有限公司，未经西安智多晶微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811307894.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
