[发明专利]一种测试RAM的方法在审
| 申请号： | 201811307894.3 | 申请日： | 2018-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN109545268A | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 尹文芹;段媛媛;贾红;程显志;陈维新;韦嶔 | 申请（专利权）人： | 西安智多晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/18 | 分类号： | G11C29/18;G11C29/36;G11C29/42 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710075 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 测试 校验数据 第一数据 地址单元 随机数 读取 测试覆盖率 测试数据 校验 有效地 检测 写入 | ||
1.一种测试RAM的方法，其特征在于，包括步骤：
将第一数据写入待测试RAM的地址单元；
读取所述地址单元，得到第二数据；
校验所述第一数据和所述第二数据，分别得到第一校验数据和第二校验数据；
比较所述第一校验数据与所述第二校验数据是否一致。
2.如权利要求1所述的测试RAM的方法，其特征在于，比较所述第一校验数据与所述第二校验数据是否一致，包括：
若所述第一校验数据与所述第二校验数据不一致，则停止测试；
若所述第一校验数据与所述第二校验数据一致，则判断每个所述地址单元是否均完成测试。
3.如权利要求2所述的测试RAM的方法，其特征在于，判断每个所述地址单元是否均完成测试，包括：
若判断每个所述地址单元未均完成测试，则对未完成测试的地址单元进行测试；
若判断每个所述地址单元均完成测试，则输出产品合格信息。
4.如权利要求1所述的测试RAM的方法，其特征在于，所述第一数据包括随机数。
5.如权利要求4所述的测试RAM的方法，其特征在于，还包括：
根据所述RAM的位宽产生所述随机数。
6.如权利要求1所述的测试RAM的方法，其特征在于，校验所述第一数据和所述第二数据，包括：
使用循环校验码CRC算法校验所述第一数据和第二数据。
7.一种测试RAM的装置，包括：
数据写入单元，用于将所述第一数据写入待测试RAM的地址单元中；
数据读取单元，用于读取所述地址单元，得到第二数据；
数据校验单元，用于校验所述第一数据与所述第二数据，分别得到第一校验数据和第二校验数据；
数据比较单元，用于比较所述第一校验数据与所述第二校验数据是否一致。
8.如权利要求7所述的测试RAM的装置，其特征在于，还包括：
判断单元，用于判断每个所述地址单元是否均完成测试。
9.如权利要求7所述的测试RAM的装置，其特征在于，所述第一数据包括随机数。
10.如权利要求9所述的测试RAM的装置，其特征在于，还包括：
数据产生单元，用于根据所述RAM的位宽产生所述随机数。
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