[发明专利]一种测试RAM的方法

说明书

本发明涉及一种测试RAM的方法，包括步骤：将第一数据写入待测试RAM的地址单元中，其中，第一数据包括随机数；读取所述地址单元，得到第二数据；校验第一数据和第二数据，分别得到第一校验数据和第二校验数据；比较第一校验数据与第二校验数据是否一致。本发明实施例测试RAM的方法通过采用随机数对RAM进行测试，避免了测试数据过于片面的问题，测试覆盖率高，使得RAM中的错误能够充分检测出来，更有效地检测了待测试RAM，从而提高了测试的可靠性。

技术领域

本发明属于存储器测试技术领域，具体涉及一种测试RAM的方法。

背景技术

随机存取存储器(random access memory，RAM)又称作“随机存储器”，是与CPU直接交换数据的内部存储器，也叫主存(内存)。它可以随时读写，而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。在使用这些RAM时，需要提前对RAM进行判断，以确保RAM能够正常工作。

专利CN100343923C介绍了一种测试SDRAM器件的方法，包含如下步骤：a.将待测试SDRAM的工作模式设置为Full Page方式；b.激活需要访问的待测试SDRAM的地址线和控制线，将测试数据通过其数据线写入到相应的存储单元，在Full Page方式下会在连续的256个存储单元写入相同的数据；c.在多个时钟信号下读取待测试SDRAM的数据线上的数据，因为256个单元内容相同，所以在数据线上会循环出现相同数据而不需要和时钟同步；d.比较读取后的数据和测试数据，得到测试结果。

但是，在上述测试SDRAM器件的方法中，测试的数据并不充分，测试步骤b中提及Full Page方式下会写入相同的数据(全1或者全0)，这会导致测试数据过于片面，如若某条地址线出现问题，写入相同的数据会掩盖这个错误，从而降低了测试的可靠性；另外，上述测试SDRAM器件的方法虽测试中利用了多个时钟信号，但最高频率时钟信号也是略微偏低，从而导致基于SDRAM测试不全面，只是针对SDRAM的功能进行了测试，并未涉及到SDRAM的性能测试。

发明内容

为了解决现有技术中存在的上述问题，本发明提供了一种测试RAM的方法。本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现：

本发明实施例提供了一种测试RAM的方法，包括步骤：

将第一数据写入待测试RAM的所述地址单元中；

读取所述地址单元，得到第二数据；

校验所述第一数据和所述第二数据，分别得到第一校验数据和第二校验数据；

比较所述第一校验数据与所述第二校验数据是否一致。

在本发明的一个实施例中，比较所述第一校验数据与所述第二校验数据是否一致，包括：

若所述第一校验数据与所述第二校验数据不一致，则停止测试；

若所述第一校验数据与所述第二校验数据一致，则判断每个所述地址单元是否均完成测试。

在本发明的一个实施例中，判断每个所述地址单元是否均完成测试，包括：

若判断每个所述地址单元未均完成测试，则对未完成测试的地址单元进行测试；

若判断每个所述地址单元均完成测试，则输出产品合格信息。

在本发明的一个实施例中，所述第一数据包括随机数。

在本发明的一个实施例中，还包括：根据所述RAM的位宽产生所述随机数。

在本发明的一个实施例中，校验所述第一数据和所述第二数据，包括：

使用循环校验码CRC算法校验所述第一数据和第二数据。