[发明专利]一种光纤偏振器晶体生长炉在审
| 申请号： | 201811305845.6 | 申请日： | 2018-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN109518273A | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 孙国明;谢良平;邢利平;王继良;刘延;杜鹏琼;董彩霞 | 申请（专利权）人： | 中国航空工业集团公司西安飞行自动控制研究所 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B11/00 |
| 代理公司： | 中国航空专利中心 11008 | 代理人： | 张毓灵 |
| 地址： | 710076 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明属于光纤偏振器制作技术，涉及一种能够实现特定温度梯度分布的光纤偏振器晶体生长炉。本发明光纤偏振器晶体生长炉由上下相互对应设置的上加热炉和下加热炉组成，其中，所述上加热炉内设置有晶体生长腔，下加热炉对应晶体生长腔位置处设置有基片槽，所述晶体生长腔横截面于晶体形状基本一致，但横截面面积远大于晶体横截面尺寸，二者保持对称间距。本发明通过温度场设计与控制、充分利用炉腔表面现状对温度场的影响规律，不仅可降低硝酸钠单晶的生长缺陷率，实现光纤偏振器的高质量、高可靠性，而且可弥补硝酸钠单晶本身所具有的温度膨胀系数各项异性与变温中易裂纹的短板。 | ||
| 搜索关键词： | 光纤偏振器 加热炉 晶体生长炉 晶体生长腔 硝酸钠单晶 温度场 温度膨胀系数 温度梯度分布 晶体横截面 高可靠性 晶体形状 生长缺陷 影响规律 基片槽 位置处 短板 炉腔 异性 对称 制作 | ||
【主权项】：
1.一种光纤偏振器晶体生长炉，其特征在于，由上下相互对应设置的上加热炉和下加热炉组成，其中，所述上加热炉内设置有晶体生长腔，下加热炉对应晶体生长腔位置处设置有基片槽，所述晶体生长腔横截面于晶体形状基本一致，但横截面面积远大于晶体横截面尺寸，二者保持对称间距。
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