[发明专利]一种光纤偏振器晶体生长炉

说明书

本发明属于光纤偏振器制作技术，涉及一种能够实现特定温度梯度分布的光纤偏振器晶体生长炉。本发明光纤偏振器晶体生长炉由上下相互对应设置的上加热炉和下加热炉组成，其中，所述上加热炉内设置有晶体生长腔，下加热炉对应晶体生长腔位置处设置有基片槽，所述晶体生长腔横截面于晶体形状基本一致，但横截面面积远大于晶体横截面尺寸，二者保持对称间距。本发明通过温度场设计与控制、充分利用炉腔表面现状对温度场的影响规律，不仅可降低硝酸钠单晶的生长缺陷率，实现光纤偏振器的高质量、高可靠性，而且可弥补硝酸钠单晶本身所具有的温度膨胀系数各项异性与变温中易裂纹的短板。

技术领域

本发明属于光纤偏振器制作技术，涉及一种能够实现特定温度梯度分布的光纤偏振器晶体生长炉。

背景技术

全光纤无熔点光纤陀螺中，光纤偏振器是其核心器件之一，其功能是实现光路传输光的偏振态选择与起偏，其性能限制光纤陀螺的零偏温度性与信噪比等核心指标。在全光纤无熔点光纤陀螺的晶体包裹型光纤偏振器在线制作技术中，获得高质量、低缺陷的硝酸钠单晶的温度梯度实现装置就是关键点。

现有光纤偏振器晶体生长炉因为炉腔为圆球状的设计，炉腔温度场分布控制难度大，晶体生长缺陷多，容易出现晶体生长平顶，影响产品质量。

发明内容

本发明的目的：提供一种能够改善晶体生长温度梯度分布，有效降低晶体生长缺陷率，提高工艺质量的光纤偏振器晶体生长炉。

本发明的技术方案：一种光纤偏振器晶体生长炉，由上下相互对应设置的上加热炉和下加热炉组成，其中，所述上加热炉内设置有晶体生长腔，下加热炉对应晶体生长腔位置处设置有基片槽，所述晶体生长腔横截面于晶体形状基本一致，但横截面面积远大于晶体横截面尺寸，二者保持对称间距。

上加热炉的垂直截面为矩形。

上加热炉的垂直截面矩形顶部具有两倒角。

晶体生长腔的前后采用对称的石英玻璃挡，左右采用对称的挡板。

所述下加热炉的基片槽厚度小于基片自身厚度，且长度长于基片长度。

晶体生长腔于晶体顶部间距不小于晶体高度的一半。

晶体生长腔两侧于晶体之间的最小间距不小于晶体宽度。

本发明的技术效果：本发明光纤偏振器晶体生长炉通过温度场设计与控制、充分利用炉腔表面现状对温度场的影响规律，不仅可降低硝酸钠单晶的生长缺陷率，实现硝酸钠单晶的定向生长，利用过热态与晶体定向生长的温度控制实现平顶的消除与高质量晶体的快速生长，并控制光轴方向，实现双折射折射率光轴与光纤垂直，实现光纤偏振器的高质量、高可靠性，而且可弥补硝酸钠单晶本身所具有的温度膨胀系数各项异性与变温中易裂纹的短板。

附图说明

图1是本发明一种光纤偏振器晶体生长炉结构图；

图2是本发明一种光纤偏振器晶体生长炉前视图；

图3是晶体生长腔与晶体位置关系侧视图；

图4是晶体生长腔与晶体位置关系水平截面图，

图中，1-晶体生长炉后结构，2-后石英玻璃挡，3-晶体生长腔，4-上晶体生长炉炉体，5-上罩，6-前石英玻璃挡，7-基片槽，8-下晶体生长炉炉体，9-上罩，10-上侧挡，11-下侧挡，12-晶体，13-光纤，14-石英基片。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明做进一步说明：