[发明专利]太阳能电池片、太阳能电池及用于制备太阳能电池电极的组合物在审
申请号: | 201811302164.4 | 申请日: | 2018-11-02 |
公开(公告)号: | CN109411560A | 公开(公告)日: | 2019-03-01 |
发明(设计)人: | 崔永郁;张洪旺;史卫利 | 申请(专利权)人: | 无锡帝科电子材料股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/068 | 分类号: | H01L31/068;H01L31/0288;H01L31/0224;H01L31/18;H01B1/22;H01B1/16 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 韩建伟;金田蕴 |
地址: | 214200 江苏省无锡*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种太阳能电池片、太阳能电池及用于制备太阳能电池电极的组合物。其中,该太阳能电池片具有发射区表面的掺杂浓度分布,发射区表面的掺杂剂浓度为小于或等于1.0×1020cm‑3,结深处的掺杂浓度为1.0×1016cm‑3~1.0×1017cm‑3,结深大于500nm。降低烧结工艺的温度可以减少对电池损害,应用本发明的技术方案,该太阳能电池片具有新的发射区低表面掺杂浓度分布,因而适合于低温烧结工艺,能够在超低表面掺杂浓度和烧结温度降低的情况下使Isc和Voc增益最大化,从而提高太阳能电池效率。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池片 掺杂 太阳能电池电极 发射区表面 太阳能电池 浓度分布 低表面 制备 太阳能电池效率 低温烧结工艺 电池损害 烧结工艺 温度降低 烧结 掺杂剂 发射区 最大化 结深 应用 | ||
【主权项】:
1.一种太阳能电池片,所述太阳能电池片具有发射区表面的掺杂浓度分布,其特征在于,所述发射区表面的掺杂剂浓度为小于或等于1.0×1020cm‑3,结深处的掺杂浓度为1.0×1016cm‑3~1.0×1017cm‑3,结深大于500nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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