[发明专利]用于高级集成电路结构制造的沟槽接触结构

摘要

本公开的实施例属于高级集成电路结构制造的领域，并且具体而言属于10纳米节点和更小的集成电路结构制造和所得结构的领域。在示例中，一种集成电路结构包括鳍状物。栅极电介质层在所述鳍状物的顶部之上并与所述鳍状物的侧壁横向相邻。栅极电极在处于所述鳍状物的顶部之上并与所述鳍状物的侧壁横向相邻的栅极电介质层之上。第一和第二半导体源极或漏极区分别与所述栅极电极的第一侧和第二侧相邻。第一和第二沟槽接触结构分别在所述第一和第二半导体源极或漏极区之上，所述第一和第二沟槽接触结构都包括U形金属层以及所述U形金属层的整体上和之上的T形金属层。

主权项

1.一种集成电路结构，包括：包括硅的鳍状物，所述鳍状物具有顶部和侧壁；在所述鳍状物的顶部之上并与所述鳍状物的侧壁横向相邻的栅极电介质层；栅极电极，其在处于所述鳍状物的顶部之上并与所述鳍状物的侧壁横向相邻的所述栅极电介质层之上，所述栅极电极具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧；第一半导体源极或漏极区和第二半导体源极或漏极区，其分别与所述栅极电极的所述第一侧和所述第二侧相邻；以及第一沟槽接触结构和第二沟槽接触结构，其分别在与所述栅极电极的所述第一侧和所述第二侧相邻的所述第一半导体源极或漏极区和所述第二半导体源极或漏极区之上，所述第一沟槽接触结构和所述第二沟槽接触结构都包括U形金属层以及所述U形金属层的整体上和之上的T形金属层。