[发明专利]非易失性存储设备以及操作其的方法在审
| 申请号: | 201811293761.5 | 申请日: | 2018-11-01 |
| 公开(公告)号: | CN110021311A | 公开(公告)日: | 2019-07-16 |
| 发明(设计)人: | 方真培;边大锡;金志秀 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
| 主分类号: | G11C7/10 | 分类号: | G11C7/10 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张泓 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 一种非易失性存储设备包括:包含多个存储单元的存储单元阵列;用于执行多个读取操作并且存储读取操作的结果的页缓冲器,其中,读取操作中的每一个包括用于多个存储单元中的所选择的存储单元的至少一个读出操作;多读出管理器,用于确定多个读取操作中的每一个的读出操作的数量并且控制页缓冲器执行读取操作;以及数据识别器,用于基于读取操作的结果来识别所选择的存储单元的比特的数据状态,其中,多读出管理器确定用于读取操作当中的至少一个读取操作的读出操作的数量不同于用于读取操作当中的其他读取操作的读出操作的数量。 | ||
| 搜索关键词: | 读取操作 存储单元 读出操作 非易失性存储设备 页缓冲器 管理器 读出 存储单元阵列 数据识别器 数据状态 存储 | ||
【主权项】:
1.一种非易失性存储设备,包括:存储单元阵列,包含多个存储单元;页缓冲器,用于执行多个读取操作并且存储所述多个读取操作的结果,其中,所述多个读取操作中的每一个包括用于所述多个存储单元中的所选择的存储单元的至少一个读出操作;多读出管理器,用于确定用于所述多个读取操作中的每一个的读出操作的数量并且控制所述页缓冲器来执行所述多个读取操作;以及数据识别器,用于基于所述多个读取操作的结果来识别所选择的存储单元的比特的数据状态,其中,所述多读出管理器确定用于所述多个读取操作当中的至少一个读取操作的读出操作的数量不同于用于所述多个读取操作当中的其他读取操作的读出操作的数量。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811293761.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。





