[发明专利]一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201811290910.2 | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN109309127A | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 邵锦文;侯同晓;孙致祥;贾仁需;元磊;张秋洁;刘学松 | 申请（专利权）人： | 秦皇岛京河科学技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/04 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 张晓 |
| 地址： | 066004 河北省秦皇岛市市辖区经*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种碳化硅MOSFET器件，由下向上依次层叠设置的漏极、N型SiC衬底层、N型漂移层；JFET区、沟道、P阱，依次位于N型漂移层上，且另一边关于JFET区对称，P阱的厚度小于所述沟道的厚度；P型接触区、N型接触区，均位于P阱上，P型接触区位于P阱上的边缘位置，P型接触区、N型接触区和沟道依次接触；源极，位于p型接触区和部分N型接触区上；第一SiO2栅氧化层，位于部分N型接触区和沟道上；隔离槽，位于N型接触区上，且位于源极和第一SiO2栅氧化层之间；第二SiO2栅氧化层，位于JFET区上；多晶硅，位于第一SiO2栅氧化层和第二SiO2栅氧化层上。 | ||
| 搜索关键词： | 栅氧化层 沟道 碳化硅MOSFET 源极 边缘位置 依次层叠 多晶硅 隔离槽 漏极 制备 对称 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅MOSFET器件，其特征在于，由下向上依次层叠设置的漏极(1)、N型SiC衬底层(2)、N型漂移层；以及JFET区(5)、沟道(6)、P阱(7)，依次位于所述N型漂移层上，所述P阱(7)的厚度小于所述沟道(6)的厚度；P型接触区(8)、N型接触区(9)，均位于所述P阱(7)上，且所述P型接触区(8)位于所述P阱(7)上的边缘位置，所述P型接触区(8)、所述N型接触区(9)和所述沟道(6)依次接触；源极(10)，位于所述P型接触区(8)和部分所述N型接触区(9)上；第一SiO2栅氧化层(11)，位于部分所述N型接触区(9)和所述沟道(6)上；隔离槽(14)，位于N型接触区(9)上，且位于所述源极(10)和所述第一SiO2栅氧化层(11)之间；第二SiO2栅氧化层(12)，位于JFET区(5)上；多晶硅(13)，位于所述第一SiO2栅氧化层(11)和所述第二SiO2栅氧化层(12)上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于秦皇岛京河科学技术研究院有限公司，未经秦皇岛京河科学技术研究院有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811290910.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
