[发明专利]一种半导体器件的制备方法及所得的半导体器件在审
| 申请号： | 201811289769.4 | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN111129141A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 蔡宗叡 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 王莹;于宝庆 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件的制备方法，包括在半导体衬底上形成轻掺杂源/漏区的步骤，其为以下过程：在半导体衬底上进行预非晶化离子注入，进行LDD注入以及Halo注入。本发明还提供了由所述制备方法制得的半导体器件。本发明提供的制备方法可在形成的轻掺杂区中使掺杂元素在横向、纵向的扩散行为都得到明显抑制，由此可使制作的半导体器件的整体电学性能得到大幅度提升，本发明的制备方法制程简便，可适应半导体器件制作不断微缩的发展趋势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制备 方法 所得 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811289769.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
