[发明专利]半导体装置以及提供半导体装置的方法在审
| 申请号： | 201811284243.7 | 申请日： | 2018-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN109801879A | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 洪俊九;徐康一;博尔纳·奥布拉多维奇 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 刘培培;黄隶凡 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述一种半导体装置以及提供半导体装置的方法。所述方法提供多个鳍。多个鳍中的每一个的第一部分由掩模覆盖。多个鳍中的每一个的第二部分通过掩模暴露。该方法还在高于一百摄氏度且不超过六百摄氏度的退火温度下在体积增大环境(例如氢中)执行退火。鳍中的每一个的第二部分在退火期间暴露使得鳍中的每一个的第二部分经历体积膨胀。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体装置 退火 方法描述 体积膨胀 体积增大 掩模覆盖 暴露 掩模 | ||
【主权项】：
1.一种提供半导体装置的方法，包括：提供多个鳍使得所述多个鳍中的每一个的第一部分由掩模覆盖且所述多个鳍中的每一个的第二部分通过所述掩模暴露；以及在高于一百摄氏度且不超过六百摄氏度的至少一种退火温度下在体积增大环境中执行退火，所述多个鳍中的每一个的所述第二部分在所述退火期间暴露使得所述多个鳍中的每一个的所述第二部分经历体积膨胀。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811284243.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
