[发明专利]一种监控高温炉管内掺杂浓度的方法

摘要

本发明一种监控高温炉管内掺杂浓度的方法，通过将易于实现的扩散操作融入含有待监控衬底片的MOS结构之中，使测试区域O1和区域O2带有不同的掺杂分布，进一步测试MOS结构区域O2的准静态C‑V特性和高频C‑V特性，区域O1的准静态C‑V特性和高频C‑V特性并对所测数据进行数据分析计算出MOS结构区域O1和区域O2的平带电压值，得到该衬底片区域O2和区域O1的平带电压差值ΔVoFB，将ΔVoFB代入平带电压差值和离子注入剂量的函数关系便可快速计算出对应的等效离子注入剂量，该等效离子注入剂量即为本次扩散待监控衬底片实际引入的硼离子或磷离子的掺杂浓度。

主权项

1.一种监控高温炉管内掺杂浓度的方法，其特征在于，包括如下步骤，步骤1，在待监控衬底片表面生长掩蔽氧化层；步骤2，光刻生长有掩蔽氧化层的衬底片，使其一半的区域O1掩蔽氧化层保留，另一半的区域O2掩蔽氧化层去除；步骤3，对步骤2得到的衬底片在待监控炉管内作业退火，进行高温炉管内的掺杂；步骤4，去除衬底片表面的掩蔽氧化层并在全部表面生长栅介质氧化层；步骤5，在栅介质氧化层表面淀积一层电极，并在电极上进行光刻，刻蚀出测试的图形后进行合金工艺形成待测的MOS结构；步骤6，分别测试待测的MOS结构区域O₂的准静态C‑V特性和高频C‑V特性，区域O₁的准静态C‑V特性和高频C‑V特性，得到对应区域的平带电压值和的差值ΔVo_FB；步骤7，将ΔVoFB带入平带电压差值和离子注入剂量的函数关系中，计算出相应的离子注入剂量，得到的离子注入剂量为待监控衬底片高温炉管内的掺杂浓度。