[发明专利]外延自组装高温生长GaN阵列的制备方法

摘要

本发明是外延自组装高温生长GaN阵列的制备方法，属于半导体生长技术领域；所要解决的技术问题是提供了生长GaN基纳米阵列均匀性差的难题；解决该技术问题采用的技术方案为：高温清洗衬底；衬底表面氮化；AlGaN形核点的制备；GaN纳米柱外延生长，即采用MOCVD一步法即可生长出高质量的GaN纳米柱，减少了工艺流程步骤，降低了制备成本，更适合于工业化生产；本发明可广泛应用于电子领域。

主权项

1.一种外延自组装高温生长GaN阵列的制备方法，其特征在于包括以下步骤：S1.高温清洗衬底：在反应腔内温度为1150~1250℃时，通入氢气，保持1200秒，使衬底表面的杂质还原或者清洗干净；S2.衬底表面淡化：通过4200 sccm NH3 420秒，使衬底表面原子活性键充分与氮原子结合；S3. AlGaN形核点的制备:把温度降为1000℃，NH3流量调整为2000 sccm，通入15sccm TMAl，保持60秒，在衬底表面均匀形成AIN形核点，然后再通入60 sccm TMGa，保持60秒，Ga原子扩散至AlN形核点的位置，形成AlGaN形核点；S4.GaN纳米柱外延生长:把温度升至1200℃，NH3流量调整为200 sccm，通入硅烷5 mmol/Lsccm，通入60 sccm TMGa，保持2000秒，使GaN基纳米柱外延生长，形成GaN纳米柱。