[发明专利]逆导型门极换流晶闸管及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201811256707.3 申请日: 2018-10-26
公开(公告)号: CN109449203A 公开(公告)日: 2019-03-08
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 深圳市鹏朗贸易有限责任公司
主分类号: H01L29/74 分类号: H01L29/74;H01L21/332;H01L29/423;H01L29/417
代理公司: 深圳市知顶顶知识产权代理有限公司 44504 代理人: 马世中
地址: 518000 广东省深圳市罗湖*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种逆导型门极换流晶闸管,包括:第一导电类型的衬底;第一导电类型的外延层;自所述外延层的上表面向下延伸且槽底深入所述衬底内的沟槽,内部填充有绝缘介质,所述沟槽包括间隔设置的第一沟槽与第二沟槽;第二导电类型的第一注入区;第二导电类型的第二注入区;第二导电类型的第三注入区,第二导电类型的第四注入区;第一导电类型的第五注入区;门极金属层,与所述第四注入区电连接;阳极金属层,与所述第三注入区及位于所述第一沟槽的远离所述第二沟槽的一侧的所述外延层电连接;阴极金属层,与所述第二注入区及所述第五注入区电连接。
搜索关键词: 注入区 导电类型 第一导电类型 电连接 外延层 门极换流晶闸管 逆导型 衬底 门极金属层 阳极金属层 阴极金属层 间隔设置 绝缘介质 内部填充 向下延伸 上表面 制造
【主权项】:
1.一种逆导型门极换流晶闸管,其特征在于,包括:第一导电类型的衬底;第一导电类型的外延层,形成于所述衬底的上表面;自所述外延层的上表面向下延伸且槽底深入所述衬底内的沟槽,内部填充有绝缘介质,所述沟槽包括间隔设置的第一沟槽与第二沟槽;第二导电类型的第一注入区,自位于所述第一沟槽与所述第二沟槽之间的所述外延层的上表面向下延伸;第二导电类型的第二注入区,自位于所述第二沟槽的远离所述第一沟槽的一侧的所述外延层的上表面向下延伸;第二导电类型的第三注入区,自位于所述第一沟槽的远离所述第二沟槽的一侧的所述外延层的上表面向下延伸;第二导电类型的第四注入区,自所述第一注入区的上表面向下延伸;第一导电类型的第五注入区,自所述第一注入区的上表面向下延伸;门极金属层,与所述第四注入区电连接;阳极金属层,与所述第三注入区及位于所述第一沟槽的远离所述第二沟槽的一侧的所述外延层电连接;阴极金属层,与所述第二注入区及所述第五注入区电连接。
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