[发明专利]逆导型门极换流晶闸管及其制造方法

权利要求书

1.一种逆导型门极换流晶闸管，其特征在于，包括：

第一导电类型的衬底；

第一导电类型的外延层，形成于所述衬底的上表面；

自所述外延层的上表面向下延伸且槽底深入所述衬底内的沟槽，内部填充有绝缘介质，所述沟槽包括间隔设置的第一沟槽与第二沟槽；

第二导电类型的第一注入区，自位于所述第一沟槽与所述第二沟槽之间的所述外延层的上表面向下延伸；

第二导电类型的第二注入区，自位于所述第二沟槽的远离所述第一沟槽的一侧的所述外延层的上表面向下延伸；

第二导电类型的第三注入区，自位于所述第一沟槽的远离所述第二沟槽的一侧的所述外延层的上表面向下延伸；

第二导电类型的第四注入区，自所述第一注入区的上表面向下延伸；

第一导电类型的第五注入区，自所述第一注入区的上表面向下延伸；

门极金属层，与所述第四注入区电连接；

阳极金属层，与所述第三注入区及位于所述第一沟槽的远离所述第二沟槽的一侧的所述外延层电连接；

阴极金属层，与所述第二注入区及所述第五注入区电连接。

2.根据权利要求1所述的逆导型门极换流晶闸管，其特征在于，包括：

第一导电类型的第六注入区，自位于所述第一沟槽的远离所述第二沟槽的一侧的所述外延层向下延伸，所述阳极金属层通过所述第六注入区与位于所述第一沟槽的远离所述第二沟槽的一侧的所述外延层电连接；

第二导电类型的第七注入区，自所述第二注入区的上表面向下延伸，所述阴极金属层通过所述第七注入区与所述第二注入区电连接。

3.根据权利要求2所述的逆导型门极换流晶闸管，其特征在于，所述第四注入区的数量为一个，所述第四注入区与所述第一沟槽相邻，所述第五注入区与所述第二沟槽相邻。

4.根据权利要求2所述的逆导型门极换流晶闸管，其特征在于，所述第四注入区的数量为两个，且分别与所述第一沟槽及所述第二沟槽相邻，所述第五注入区位于两个所述第四注入区之间。

5.根据权利要求1～4中任意一项所述的逆导型门极换流晶闸管，其特征在于，所述第三注入区的结深为0.6～0.8um，且注入物质为二氟化硼。

6.根据权利要求5所述的逆导型门极换流晶闸管，其特征在于，所述沟槽的宽度为0.8～1um。

7.一种逆导型门极换流晶闸管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S10：提供第一导电类型的衬底；

步骤S20:在所述衬底的上表面形成第一导电类型的外延层；

步骤S30：形成自所述外延层的上表面向下延伸且槽底深入所述衬底内的沟槽，在沟槽内部填充绝缘介质，所述沟槽包括间隔设置的第一沟槽与第二沟槽；

步骤S40：形成自位于所述第一沟槽与所述第二沟槽之间的所述外延层的上表面向下延伸的第二导电类型的第一注入区；形成自位于所述第二沟槽的远离所述第一沟槽的一侧的所述外延层的上表面向下延伸的第二导电类型的第二注入区；

步骤S50：形成自位于所述第一沟槽的远离所述第二沟槽的一侧的所述外延层的上表面向下延伸的第二导电类型的第三注入区；形成自所述第一注入区的上表面向下延伸的第二导电类型的第四注入区；

步骤S60：形成自所述第一注入区的上表面向下延伸的第一导电类型的第五注入区；

步骤S70：形成与所述第四注入区电连接的门极金属层；形成与所述第三注入区及位于所述第一沟槽的远离所述第二沟槽的一侧的所述外延层电连接的阳极金属层；形成与所述第二注入区及所述第五注入区电连接的阴极金属层。