[发明专利]背照式晶圆晶边划片深度量测方法有效
| 申请号： | 201811255917.0 | 申请日： | 2018-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN109473368B | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 陈超;许向辉;郭贤权;姬峰 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种背照式晶圆晶边划片深度量测方法，包括：采用预设方式对划片晶圆晶边进行扫描，获得划片晶圆晶边的光学影像，获取划片晶圆晶边台阶结构直角边造成散射信号通道的分界线，量测各个晶圆晶边位置分界线所在的角度位置，建立划片后晶圆晶边轮廓模型，通过建立的轮廓模型获得划片深度和分界线角度位置的关系函数，将量测得到的角度位置带入关系函数中，计算得到各个晶边位置的划片深度。本发明可以在不破坏晶圆的情况下，高效地量测背照式晶圆在整个圆周上的晶边划片深度，为研发初期划片工艺调整提供可靠的数据支持，加快研发进度，提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 背照式晶圆晶边 划片 深度 方法 | ||
【主权项】：
1.一种背照式晶圆晶边划片深度量测方法，其特征在于，包括以下步骤：1)采用预设方式对划片晶圆晶边进行扫描，获得划片晶圆晶边的光学影像；2)获取划片晶圆晶边台阶结构直角边造成信号通道的分界线；3)量测各个晶圆晶边位置分界线所在的角度位置；4)建立划片后晶圆晶边轮廓模型；5)通过步骤4)建立的轮廓模型获得划片深度和分界线角度位置的关系函数；6)将量测得到的角度位置带入关系函数中，计算得到各个晶边位置的划片深度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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