[发明专利]一种硼改性聚碳硅烷树脂及其制备方法有效
申请号: | 201811249968.2 | 申请日: | 2018-10-25 |
公开(公告)号: | CN109438712B | 公开(公告)日: | 2021-06-11 |
发明(设计)人: | 陶孟;胡继东;俸翔;冯志海;赵彦伟 | 申请(专利权)人: | 航天材料及工艺研究所;中国运载火箭技术研究院 |
主分类号: | C08G79/08 | 分类号: | C08G79/08 |
代理公司: | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人: | 张丽娜 |
地址: | 100076 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种硼改性聚碳硅烷的制备方法,属于新型陶瓷材料制备技术领域。本发明反应原料均为常见化学原料;原料单位价格低,制备过程工艺简单;本发明制备的新型SiBC陶瓷前驱体常温下为低粘度液体,粘度为10‑500mPa.S,具有非常好的工艺性能;本发明制备的新型SiBC陶瓷前驱体中含Si‑H、B‑H及C=C等活性基团及不饱和键,可以自交联固化,固化放热小,固化失重低,高温下陶瓷产率高,可达60‑70%;本发明制备的新型SiBC陶瓷前驱体的各元素含量比例可以通过投料比进行调节;本发明制备的新型SiBC陶瓷前驱体可用于超高温陶瓷基复合材料浸渍基体,亦可用于陶瓷涂层、纤维等高性能材料的制备,具有广泛的用途。 | ||
搜索关键词: | 一种 改性 硅烷 树脂 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种硼改性聚碳硅烷树脂,其特征在于:该硼改性聚碳硅烷树脂的结构式为:
其中:R:炔基、炔丙基或烯丙基;n为正整数,且n≥1。
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