[发明专利]图案化的金属膜层、薄膜晶体管、显示基板的制备方法有效
| 申请号： | 201811230086.1 | 申请日： | 2018-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN109378271B | 公开（公告）日： | 2021-01-26 |
| 发明（设计）人： | 方金钢;丁录科;刘军;李伟;张扬;程磊磊;王东方 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 柴亮;张天舒 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种图案化的金属膜层、薄膜晶体管、显示基板的制备方法，属于显示技术领域。本发明的图案化的金属膜层的制备方法，包括：在基底上依次沉积金属材料和光刻胶材料，并对光刻胶材料进行曝光，形成光刻胶保留区和光刻胶未保留区，去除光刻胶未保留区的光刻胶材料，形成位于光刻胶保留区的图案化的光刻胶；对完成上述步骤的基底上的金属材料进行刻蚀，去除位于光刻胶保留区的边缘区域和位于光刻胶未保留区的第一厚度的金属材料；对图案化的光刻胶进行处理，以使位于光刻胶保留区的中间区域的金属材料的边缘与剩余的图案化的光刻胶分离；刻蚀去除基底上剩余的、且与剩余的图案化的光刻胶未接触的金属材料，以形成图案化的金属膜层。 | ||
| 搜索关键词： | 图案 金属膜 薄膜晶体管 显示 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种图案化的金属膜层的制备方法，其特征在于，包括：在基底上依次沉积金属材料和光刻胶材料，并对所述光刻胶材料进行曝光，形成光刻胶保留区和光刻胶未保留区，去除所述光刻胶未保留区的光刻胶材料，形成位于光刻胶保留区的图案化的光刻胶；对完成上述步骤的所述基底上的金属材料进行刻蚀，去除位于所述光刻胶保留区的边缘区域和位于所述光刻胶未保留区的第一厚度的金属材料；对所述图案化的光刻胶进行处理，以使位于所述光刻胶保留区的中间区域的金属材料的边缘与剩余的图案化的光刻胶分离；刻蚀去除所述基底上剩余的、且与所述剩余的图案化的光刻胶未接触的金属材料，以形成图案化的金属膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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