[发明专利]一种Si-ZrB2-SiC抗氧化涂层及其制备方法在审
| 申请号： | 201811229891.2 | 申请日： | 2018-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN109320299A | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 曹英斌;周帆 | 申请（专利权）人： | 湖南国科碳陶新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C04B41/87 | 分类号： | C04B41/87 |
| 代理公司： | 长沙国科天河知识产权代理有限公司 43225 | 代理人： | 邱轶 |
| 地址： | 410000 湖南省长沙市开福区伍家*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 一种Si‑ZrB2‑SiC抗氧化涂层及其制备方法，所述涂层中的Si:ZrB2:SiC的体积含量比为5～10％:25～40％:50～65％，涂层孔隙率小于0.5％，涂层厚度在50～500μm之间，涂层在1500℃以下氧化环境能有效保护基底材料。涂层的制备是以C、ZrO2、B4C为原料，采用浆料涂覆法与气相渗硅相结合的工艺，在气相渗硅过程中原位反应生成ZrB2和SiC获得。本发明提供的制备方法采用浆料涂覆—气相渗硅原位反应工艺结合了浆料涂覆工艺和气相渗硅工艺，具有工艺简单、生产周期短、成本低等优点，并有效解决了其它工艺或方法制备的涂层成分均一致性差、致密度不高以及涂层与基底之间结合力较弱等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 渗硅 浆料涂覆 抗氧化涂层 生产周期 涂层孔隙率 工艺结合 基底材料 氧化环境 有效解决 原位反应 含量比 结合力 基底 | ||
【主权项】：
1.一种Si‑ZrB2‑SiC抗氧化涂层，其特征在于，所述涂层中Si:ZrB2:SiC的体积含量比为(5～10％):(25～40％):(50～65％)，涂层孔隙率小于0.5％，涂层厚度在50～500μm之间，。
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