[发明专利]一种Si-ZrB2-SiC抗氧化涂层及其制备方法

权利要求书

1.一种Si-ZrB₂-SiC抗氧化涂层，其特征在于，所述涂层中Si:ZrB₂:SiC的体积含量比为(5～10％):(25～40％):(50～65％)，涂层孔隙率小于0.5％，涂层厚度在50～500μm之间，。

2.如权利要求1所述的Si-ZrB₂-SiC抗氧化涂层，其特征在于，所述涂层以C/C复合材料或C/C-SiC复合材料为基底。

3.一种如权利要求1或2所述的Si-ZrB₂-SiC抗氧化涂层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)、配制预涂层浆料：将C粉、ZrO₂粉、B₄C粉和化学纯硅溶胶混合均匀，配制成预涂层浆料；

2)、将步骤1)所得的预涂层浆料均匀地刷涂在基底表面，然后在90～120℃下烘干，重复刷涂、烘干步骤，直至基底单位面积的质量增加量为0.1～0.5mg/mm²；

3)、以单质硅为原料通过气相渗硅工艺对步骤2)所得的表面有预涂层的基底进行渗硅处理，便在基底表面得到Si-ZrB₂-SiC涂层。

4.如权利要求3所述的Si-ZrB₂-SiC抗氧化涂层的制备方法，其特征在于，所述步骤1)中的C粉、ZrO₂粉、B₄C粉和化学纯硅溶胶的质量比为(10～20％):(35～50％):(15～20％):(40～50％)。

5.如权利要求4所述的Si-ZrB₂-SiC抗氧化涂层的制备方法，其特征在于，上述步骤2)中的烘干温度为100℃。

6.如权利要求5所述的Si-ZrB₂-SiC抗氧化涂层的制备方法，其特征在于，所述步骤3)中的气相渗硅工艺的参数为：真空度50～5000Pa，渗硅温度1500～1800℃，保温时间1～5h。