[发明专利]一种微型发光二极管的巨量转移方法有效
申请号: | 201811215930.3 | 申请日: | 2018-10-18 |
公开(公告)号: | CN109545815B | 公开(公告)日: | 2020-11-10 |
发明(设计)人: | 杨健;陈祖辉;赵晓刚 | 申请(专利权)人: | 泉州市盛维电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 362200 福建省泉州市晋*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明公开了一种微型发光二极管的巨量转移方法,涉及发光显示领域,其步骤包括制作微型发光二极管阵列;在带有P、N极的微型发光二极管阵列的表面上涂覆导电胶层;对带有导电胶层的微型发光二极管阵列进行切割;使导电胶层带静电电荷;制作一可震荡的绝缘平台,在可震荡的绝缘平台上方施加电场,用于使带电微型发光二极管元器件同向排列;将排列好的微型发光二极管的平台移入光镊阵列中,用光镊阵列来捕获微型发光二极管元器件;移动光镊阵列,使得微型发光二极管元器件与驱动电路位置一一对应;采用加热和键合方式,使得微型发光二极管元器件的P、N极与驱动电路通过导电胶层实现电连接,每一个微型发光二极管元器件获得定址控制和单独驱动。 | ||
搜索关键词: | 一种 微型 发光二极管 巨量 转移 方法 | ||
【主权项】:
1.一种微型发光二极管的巨量转移方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1、制作微型发光二极管阵列;步骤2、在带有P、N极的所述微型发光二极管阵列的表面上涂覆导电胶层;步骤3、对带有导电胶层的所述微型发光二极管阵列进行切割;步骤4、使所述导电胶层带静电电荷;步骤5、制作一可震荡的绝缘平台,在可震荡的所述绝缘平台上方施加电场,用于使带电所述微型发光二极管元器件同向排列;步骤6、将排列好的微型发光二极管的平台移入光镊阵列中,用所述光镊阵列来捕获微型发光二极管元器件;步骤7、移动所述光镊阵列,使得所述微型发光二极管元器件与驱动电路位置一一对应;步骤8、采用加热和键合方式,使得所述微型发光二极管元器件的P、N极与驱动电路通过所述导电胶层实现电连接,且每一个所述微型发光二极管元器件获得定址控制和单独驱动。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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