[发明专利]一种CuS/ZnS复合导电薄膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 201811211233.0 申请日: 2018-10-17
公开(公告)号: CN110739103B 公开(公告)日: 2020-11-03
发明(设计)人: 沈丽尧 申请(专利权)人: 嘉兴学院
主分类号: H01B13/00 分类号: H01B13/00;H01B5/14
代理公司: 杭州知管通专利代理事务所(普通合伙) 33288 代理人: 占伟彬
地址: 314000 浙江省嘉兴市*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明提供了一种CuS/ZnS复合导电薄膜的制备方法,包括以下步骤:S1.制备多层花状ZnS(H2NCH2CH2NH2)0.5;S2.制备ZnS(H2NCH2CH2NH2)0.5溶液;S3.把固定有PI基材的玻璃夹具垂直放入上述溶液中,将夹具上端与机械搅拌相连,在ZnS(H2NCH2CH2NH2)0.5溶液中滴加Cu(N03)2溶液;S4.最后调节反应体系的温度和压力反应,待反应结束后,取出清洗,烘干得到单面附着CuS和ZnS的透明导电薄膜。本发明提供一种CuS/ZnS复合导电薄膜,具有低电阻率和高透光率,在太阳能电池和有机发光器件等领域具有广阔的应用前景。
搜索关键词: 一种 cus zns 复合 导电 薄膜 制备 方法
【主权项】:
1.一种CuS/ZnS复合导电薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:/nS1.将醋酸锌和硫脲加入至混合溶剂中,搅拌20-40min后,将混合溶液在120-140℃,压力为2-3MPa下反应16-22h,得到沉淀物将所得到的的白色沉淀离心分离,分别水洗,醇洗各两次,然后在60℃下烘干,即得到了多层花状ZnS(H
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