[发明专利]一种CuS/ZnS复合导电薄膜的制备方法

说明书

本发明提供了一种CuS/ZnS复合导电薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1.制备多层花状ZnS(H₂NCH₂CH₂NH₂)_0.5；S2.制备ZnS(H₂NCH₂CH₂NH₂)_0.5溶液；S3.把固定有PI基材的玻璃夹具垂直放入上述溶液中，将夹具上端与机械搅拌相连，在ZnS(H₂NCH₂CH₂NH₂)_0.5溶液中滴加Cu(N0₃)₂溶液；S4.最后调节反应体系的温度和压力反应，待反应结束后，取出清洗，烘干得到单面附着CuS和ZnS的透明导电薄膜。本发明提供一种CuS/ZnS复合导电薄膜，具有低电阻率和高透光率，在太阳能电池和有机发光器件等领域具有广阔的应用前景。

技术领域

本发明涉及导电材料领域，具体涉及一种CuS/ZnS复合导电薄膜的制备方法。

背景技术

随着微电子材料的飞速发展，以透明导电膜为基础的触摸显示技术得到了广泛应用。其中的透明导电膜大多以石英、玻璃等硬质材料为衬底，以氧化铟锡(ITO)为导电材料，尽管具有透光率高、导电性好等特点，但其衬底脆性大、不易弯曲，且采用储量稀少的铟为原料，大大限制了其应用的领域和范围。因此，研发柔性的、不含铟的透明导电膜，并将其用于柔性电子显示技术、薄膜太阳能电池以及可穿戴电子器件等领域，具有重要的现实意义。作为ITO的替代材料，CuS薄膜具有光电性能优良、价格低廉、储量丰富等显著优势，近年来引起了人们的极大关注；具有低电阻率及高透光率的ZnS基透明导电薄膜，在液晶显示器，太阳能电池和有机发光器件等领域具有广阔的应用前景。

发明内容

要解决的技术问题：本发明的目的是提供一种CuS/ZnS复合导电薄膜，具有低电阻率和高透光率，在太阳能电池和有机发光器件等领域具有广阔的应用前景。

技术方案：一种CuS/ZnS复合导电薄膜的制备方法，包括以下步骤：

S1.将醋酸锌和硫脲加入至混合溶剂中，搅拌20-40min后，将混合溶液在120-140℃，压力为2-3MPa下反应16-22h，得到沉淀物将所得到的的白色沉淀离心分离，分别水洗，醇洗各两次，然后在60℃下烘干，即得到了多层花状ZnS(H₂NCH₂CH₂NH₂)_0.5；

S2.将步骤S1制备得到ZnS(H₂NCH₂CH₂NH₂)_0.5加入去离子水中，得到浓度为0.1-0.2mol/L的ZnS(H₂NCH₂CH₂NH₂)_0.5溶液；

S3.把固定有PI基材的玻璃夹具垂直放入上述溶液中，将夹具上端与机械搅拌相连，在ZnS(H₂NCH₂CH₂NH₂)_0.5溶液中滴加Cu(N0₃)₂溶液，在120-200r/min下反应20-40min；

S4.最后调节反应体系的温度至120-160℃，压力为2-4Mpa下，反应2-8h，待反应结束后，取出清洗，烘干得到单面附着CuS和ZnS的透明导电薄膜。

进一步的，所述步骤S1中醋酸锌的浓度为0.1-0.2mol/L。

进一步的，所述步骤S1中醋酸锌和硫脲的摩尔比为1:2，所述混合溶液为乙二胺和去离子水的混合溶液，其体积比为3:6-10。