[发明专利]一种CuS/ZnS复合导电薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种CuS/ZnS复合导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1.将醋酸锌和硫脲加入至混合溶剂中，搅拌20-40min后，将混合溶液在120-140℃，压力为2-3MPa下反应16-22h，得到沉淀物将所得到的白色沉淀离心分离，分别水洗，醇洗各两次，然后在60℃下烘干，即得到了多层花状ZnS(H₂NCH₂CH₂NH₂)_0.5 ；

S2.将步骤S1制备得到的ZnS(H₂NCH₂CH₂NH₂)_0.5 加入去离子水中，得到浓度为0.1-0.2mol/L的ZnS(H₂NCH₂CH₂NH₂)_0.5 溶液；

S3.把固定有PI基材的玻璃夹具垂直放入上述溶液中，将夹具上端与机械搅拌装置相连，在ZnS(H₂NCH₂CH₂NH₂)_0.5 溶液中滴加Cu(N03)2溶液，在120-200r/min下反应20-40min；

S4.最后调节反应体系的温度至120-160℃，压力为2-4Mpa下，反应2-8h，待反应结束后，取出清洗，烘干得到单面附着CuS和ZnS的透明导电薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种CuS/ZnS复合导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤S1中醋酸锌的浓度为0.1-0.2mol/L。

3.根据权利要求1所述的一种CuS/ZnS复合导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤S1中醋酸锌和硫脲的摩尔比为1:2，所述混合溶剂为乙二胺和去离子水的混合溶液，其体积比为3:6-10。

4.根据权利要求1所述的一种CuS/ZnS复合导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤S3中 Zn²⁺ 和 Cu²⁺ 的摩尔比为3-6:1。

5.根据权利要求1所述的一种CuS/ZnS复合导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤S4中调节反应体系的温度至130-150℃，压力为2-4Mpa下，反应4-6h。