[发明专利]3D存储器件及其制造方法

摘要

本申请公开了一种3D存储器件及其制造方法。该3D存储器件包括：半导体衬底；栅叠层结构，位于半导体衬底上，包括交替堆叠的多个栅极导体层与多个层间绝缘层；多个沟道柱，贯穿栅叠层结构，并与半导体衬底电相连；以及第一电连接结构，位于沟道柱上，用于和位线相连；3D存储器件还包括多个导电柱以及位于导电柱上的第二电连接结构，其中，多个导电柱贯穿栅叠层结构，与半导体衬底电相连，并分布在多个沟道柱之间，每个导电柱用于通过半导体衬底向其周围的沟道柱供电，位于同行的第二电连接结构与同一源线相连，并且在第一方向上与位于同行的第一电连接结构错开。

主权项

1.一种3D存储器件，包括:半导体衬底；栅叠层结构，位于所述半导体衬底上，包括交替堆叠的多个栅极导体层与多个层间绝缘层；多个沟道柱，贯穿所述栅叠层结构，并与所述半导体衬底电相连；以及第一电连接结构，位于所述沟道柱上，用于和位线相连；所述3D存储器件还包括多个导电柱以及位于所述导电柱上的第二电连接结构，其中，所述多个导电柱贯穿所述栅叠层结构，与所述半导体衬底电相连，并分布在所述多个沟道柱之间，每个所述导电柱用于通过所述半导体衬底向其周围的所述沟道柱供电，位于同行的所述第二电连接结构与同一源线相连，并且在第一方向上与位于同行的所述第一电连接结构错开。