[发明专利]用于改进扭结效应的金属栅极调制

摘要

在一些实施例中，本发明涉及集成芯片。该集成芯片具有布置在衬底内的隔离结构。该隔离结构具有限定一个或多个凹陷的内表面和限定暴露衬底的开口的侧壁，该一个或多个凹陷凹进至低于隔离结构的最上表面。源极区域设置在开口内。漏极区域设置在开口内并且沿着第一方向通过沟道区域与源极区域分隔开。栅极结构在沟道区域上方延伸。该栅极结构包括具有一种或多种材料的第一组成的第一栅电极区域和设置在一个或多个凹陷上方并且具有与一种或多种材料的第一组成不同的一种或多种材料的第二组成的第二栅电极区域。本发明的实施例还涉及用于改进扭结效应的金属栅极调制。

主权项

1.一种集成芯片，包括：隔离结构，布置在衬底内并且具有限定一个或多个凹陷的内表面和限定开口的侧壁，所述一个或多个凹陷凹进至低于所述隔离结构的最上表面，所述开口暴露所述衬底；源极区域，设置在所述开口内；漏极区域，设置在所述开口内并且沿着第一方向通过沟道区域与所述源极区域分隔开；以及栅极结构，在所述沟道区域上方延伸，其中，所述栅极结构包括具有一种或多种材料的第一组成的第一栅电极区域和设置在所述一个或多个凹陷上方并且具有与所述一种或多种材料的第一组成不同的一种或多种材料的第二组成的第二栅电极区域。