[发明专利]一种浅沟槽隔离结构的制作方法

摘要

本发明提供了一种浅沟槽隔离结构的制作方法，通过控制浅沟槽内绝缘层的填充厚度，使位于第二浅沟槽内的绝缘层的上表面与位于第一区域与第二区域的衬垫氧化层的上表面齐平，并在绝缘层上形成第二阻挡层及第一光刻胶层，然后去除第一光刻胶层和部分第二阻挡层及部分绝缘层，至暴露出第一阻挡层，且使第二沟槽上保留有第二阻挡层，从而避免了第二沟槽因过研磨而出现凹陷，优化了衬底整体的平坦度。进一步的，由于衬底边缘绝缘层上保留有第二阻挡层，避免了光刻去边工艺造成的衬底边缘裸露所导致的器件良率缺失的问题。而且，本发明可通过控制第一阻挡层与第二阻挡层的厚度，使最后刻蚀停在第一阻挡层，可缩短或省略化学机械研磨过程。

主权项

1.一种浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底包括具有间隔的第一区域与第二区域；在所述衬底上依次形成衬垫氧化层和第一阻挡层；依次刻蚀所述第一阻挡层、衬垫氧化层及部分衬底，以形成多个浅沟槽，其中所述第一区域内至少形成有一个第一浅沟槽、所述第一区域与所述第二区域之间形成有第二浅沟槽；在所述第一阻挡层和浅沟槽上形成绝缘层，其中位于所述第二浅沟槽内的绝缘层的上表面与位于所述第一区域与第二区域的所述衬垫氧化层的上表面齐平；在所述绝缘层上依次形成第二阻挡层和第一光刻胶层；去除所述第一光刻胶层、部分所述第二阻挡层及部分所述绝缘层，至暴露出所述第一区域的所述第一阻挡层。