[发明专利]一种浅沟槽隔离结构的制作方法

权利要求书

1.一种浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，所述衬底包括具有间隔的第一区域与第二区域，第三区域，所述第三区域与所述第一区域相邻且位于所述衬底的边缘；

在所述衬底上依次形成衬垫氧化层和第一阻挡层；

依次刻蚀所述第一阻挡层、衬垫氧化层及部分衬底，以形成多个浅沟槽，其中所述第一区域内至少形成有一个第一浅沟槽、所述第一区域与所述第二区域之间形成有第二浅沟槽，所述第三区域内形成有第三浅沟槽；

在所述第一阻挡层和浅沟槽上形成绝缘层，其中位于所述第二浅沟槽和所述第三浅沟槽内的绝缘层的上表面与位于所述第一区域与第二区域的所述衬垫氧化层的上表面齐平；

在所述绝缘层上依次形成第二阻挡层和第一光刻胶层；

去除所述第一光刻胶层、部分所述第二阻挡层及部分所述绝缘层，至暴露出所述第一区域的所述第一阻挡层。

2.根据权利要求1所述浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，所述第二阻挡层与所述第一阻挡层之间的厚度差小于或等于500埃。

3.根据权利要求1所述浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，形成多个浅沟槽的步骤包括：

在所述第一阻挡层上形成第二光刻胶层；

对所述第二光刻胶层进行曝光与显影，形成图形化的第二光刻胶层；

以图形化的第二光刻胶层为掩膜，依次刻蚀所述第一阻挡层、衬垫氧化层及部分衬底，以形成多个浅沟槽；

去除所述图形化的第二光刻胶层。

4.根据权利要求3所述浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，所述图形化的第二光刻胶层的形成过程还包括：对衬底边缘进行曝光与显影，去除所述第三区域内的所述第二光刻胶层。

5.根据权利要求1所述浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，通过无曝光整体显影固化的方法形成表面平齐的第一光刻胶层，所述第一光刻胶层为正性光刻胶层，且所述第一光刻胶层覆盖所述第二阻挡层。

6.根据权利要求5所述浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，通过干法蚀刻水平均匀刻蚀的方法去除所述第一光刻胶层、部分所述第二阻挡层及部分所述绝缘层，至暴露出所述第一区域的所述第一阻挡层。

7.根据权利要求6所述浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，去除所述第一光刻胶层、部分所述第二阻挡层及部分所述绝缘层，至暴露出所述第一区域的所述第一阻挡层之后还包括：

去除所述第一阻挡层和第二阻挡层；

去除所述衬垫氧化层。

8.根据权利要求1所述浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，所述第一阻挡层和第二阻挡层的材质为氮化硅，所述绝缘层的材质为氧化硅。

9.根据权利要求1所述浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，所述第一光刻胶层为负性光刻胶层。

10.根据权利要求9所述浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，所述第一光刻胶层覆盖位于所述第二浅沟槽与第三区域上的第二阻挡层。

11.根据权利要求10所述浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，去除所述第一光刻胶层、部分所述第二阻挡层及部分所述绝缘层，至暴露出所述第一区域的所述第一阻挡层的步骤包括：

形成图形化的第一光刻胶层；

以所述第一光刻胶层为掩膜刻蚀去除所述第一区域和第二区域上的第二阻挡层及部分绝缘层；

去除所述第一光刻胶层；

对所述衬底进行平坦化处理。

12.根据权利要求11所述浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，所述第二阻挡层对所述绝缘层的刻蚀选择比大于2:1。