[发明专利]Micro LED显示基板及其制作方法、显示装置

摘要

本申请公开一种Micro LED显示基板及其制作方法、Micro LED显示装置，其中，Micro LED显示基板制作方法，将Micro LED转移到阵列基板的有机层后，经过一次刻蚀，同时在保护层和阵列基板上形成过孔，再通过一次金属沉积，同时形成Micro LED的电极和将石墨烯层与薄膜晶体管结构的源极或漏极电性连接的结构。相对于现有技术中分别形成Micro LED电极和将石墨烯层与薄膜晶体管结构的源极或漏极电性连接的结构需要两次刻蚀和两次金属沉积的过程，本发明提供的Micro LED制作方法节省了工艺步骤，使得Micro LED的制作方法更加简单，且降低了工艺成本。

主权项

1.一种Micro LED显示基板制作方法，其特征在于，包括：在转移基板上形成石墨烯层；在所述石墨烯层背离所述转移基板的表面形成半导体层及导电层以形成Micro LED；在所述Micro LED的表面形成保护层；提供阵列基板，所述阵列基板包括多个薄膜晶体管结构；在所述阵列基板上形成有机层；将所述Micro LED从所述转移基板上转移到所述有机层上，使得所述石墨烯层与所述有机层连接；刻蚀所述导电层表面的保护层形成第一过孔，暴露出所述导电层，同时刻蚀所述阵列基板形成第二过孔，暴露出所述薄膜晶体管的漏极或者源极；沉积导电金属层，填充所述第一过孔和所述第二过孔，并将所述漏极或所述源极与所述石墨烯层电性连接。