[发明专利]内含碲化银量子点的微盘腔激光器及其制备方法在审
| 申请号： | 201811193809.5 | 申请日： | 2018-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN109301692A | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 廖晨 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 陈国强 |
| 地址： | 210003 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种内含碲化银量子点的微盘腔激光器及其制备方法，该微盘腔激光器包括依次向上设置的硅基板、硅圆柱和内含碲化银量子点的二氧化硅圆盘。本发明利用低毒的最低量子态2重简并的碲化银量子点替代最低量子态8重简并的铅盐量子点，以实现低阈值的近红外光增益。将量子点嵌入二氧化硅中能够避免在微盘腔上涂覆量子点带来的品质因子下降。用内含碲化银量子点的二氧化硅薄膜制备微盘腔，最终能够获得了低阈值、高品质因子和环境友好的微盘腔近红外量子点激光器。 | ||
| 搜索关键词： | 量子点 微盘 碲化银 激光器 制备 二氧化硅 量子态 简并 二氧化硅薄膜 高品质因子 点激光器 红外量子 环境友好 近红外光 品质因子 向上设置 硅基板 铅盐 涂覆 嵌入 替代 | ||
【主权项】：
1.一种内含碲化银量子点的微盘腔激光器，其特征在于：包括依次向上设置的硅基板(2)、硅圆柱(3)和内含碲化银量子点的二氧化硅圆盘(4)。
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- 廖晨 - 南京邮电大学
- 2018-10-15 - 2019-01-11 - H01S5/34
- 本发明公开了一种内含硒化银/硒化银锌核壳量子点的微盘腔激光器及其制备方法，该微盘腔激光器包括依次向上设置的硅基板、硅圆柱和内含硒化银/硒化银锌核壳量子点的二氧化硅圆盘。本发明利用低毒的最低量子态2重简并的硒化银量子点替代最低量子态8重简并的铅盐量子点，以实现低阈值的近红外光增益,通过在硒化银量子点表面包覆锌元素含量从内到外逐渐增加的硒化银锌合金壳，来构建平缓的界面势垒和钝化硒化银量子点的表面，能够进一步降低光增益阈值。将量子点嵌入二氧化硅中能够避免在微盘腔上涂覆量子点带来的品质因子下降。用内含硒化银/硒化银锌核壳量子点的二氧化硅薄膜制备微盘腔，最终能够获得低阈值、高品质因子和环境友好的微盘腔近红外量子点激光器。
- 一种具有反波导层结构的半导体激光器及其制造方法-201811277048.1
- 李弋;周坤;杜维川;康俊杰;高松信;武德勇;胡耀;张亮 - 中国工程物理研究院应用电子学研究所
- 2018-10-30 - 2019-01-11 - H01S5/34
- 本发明提供了一种具有反波导层的半导体激光器及其制造方法，该方案包括有衬底、外延层、侧相反波导层、前腔面和后腔面；外延层设置在衬底顶面上；前腔面设置在衬底的一侧面上；所述后腔面设置在前腔面对侧的衬底侧面上；外延层上设置有凸出的条形震荡区；条形震荡区的两侧中，至少有一侧设置有反波导层；反波导层设置在外延层上。该方案可以比现有模式控制技术在震荡区两侧更好的抑制高阶模式，从而改善光束质量，提高半导体激光器的亮度。
- 内含碲化银/碲化银锌核壳量子点的微盘腔激光器及其制备方法-201811193789.1
- 廖晨 - 南京邮电大学
- 2018-10-15 - 2019-01-08 - H01S5/34
- 本发明公开了一种内含碲化银/碲化银锌核壳量子点的微盘腔激光器及其制备方法，该微盘腔激光器包括依次向上设置的硅基板、硅圆柱和内含碲化银/碲化银锌核壳量子点的二氧化硅圆盘。本发明利用低毒的最低量子态2重简并的碲化银量子点替代最低量子态8重简并的铅盐量子点，以实现低阈值的近红外光增益,通过在碲化银量子点表面包覆锌元素含量从内到外逐渐增加的碲化银锌合金壳，来构建平缓的界面势垒和钝化碲化银量子点的表面，能够进一步降低光增益阈值。将量子点嵌入二氧化硅中能够避免在微盘腔上涂覆量子点带来的品质因子下降。用内含碲化银/碲化银锌核壳量子点的二氧化硅薄膜制备微盘腔，最终能够获得低阈值、高品质因子和环境友好的微盘腔近红外量子点激光器。
- 用于1310纳米高温操作的具有拉伸应变InAlAs电子阻断器的半导体激光器-201810478304.7
- P·杜西耶 - 英特尔公司
- 2018-05-18 - 2019-01-04 - H01S5/34
- 实施例可以涉及用于在高温下操作的多量子阱(MQW)激光器，包括：至少一个量子阱，所述至少一个量子阱由与拉伸应变InGaAlAs层交替堆叠的压缩应变InGaAlAs层制成；所述至少一个量子阱的一侧由InP的n掺杂包层围绕并且另一侧由InP的p掺杂包层围绕，以形成双异质结。在量子阱和p掺杂InP包层之间提供由晶格匹配的InAlAs制成的约束层，所述约束层具有面向或邻近所述量子阱的第一表面和面向或邻近所述p掺杂InP包层的第二表面。拉伸应变InAlAs的附加电子抑制层可以被提供为面向或邻近所述约束层的一个表面，其厚度小于约束层的厚度。其它实施例可以被描述和/或要求保护。
- 专利分类
