[发明专利]一种具有光路转换功能的密闭型光电模块制作工艺

摘要

本发明公开了一种具有光路转换功能的密闭型光电模块制作工艺，包括如下步骤：101）键合处理步骤、102）玻璃板处理步骤、103）底座处理步骤、104）盖板处理步骤、105）密封步骤；本发明提供光电芯片的完全密闭的一种具有光路转换功能的密闭型光电模块制作工艺。

主权项

1.一种具有光路转换功能的密闭型光电模块制作工艺，其特征在于，具体处理包括如下步骤：101）键合处理步骤：包括玻璃板和底座，玻璃板和底座通过晶圆级键合的方式键合，键合温度在200到500度之间，键合方式采用胶键合、金属共晶键合或阳极键合；102）玻璃板处理步骤：在玻璃板上表面通过干法刻蚀或者湿法刻蚀的工艺制作凹槽；凹槽其侧面图为倒三角形，整体为三角柱或者凹槽为倒金字塔型；103）底座处理步骤：底座通过光刻、干法刻蚀的工艺制作TSV通孔；其中底座厚度范围在10um到600um，若底座厚度大于600um，则进行减薄处理；TSV通孔的直径在10um到10000um；在底座的表面制作RDL，其先制作绝缘层，绝缘层厚度范围在10nm到1000um，其材质采用氧化硅或者氮化硅；再通过光刻、电镀工艺在底座的表面制作RDL，RDL包括走线和键合功能的焊盘；此处焊盘包括做晶圆键合用的围堰焊盘；104）盖板处理步骤：在盖板表面，制作绝缘层，绝缘层厚度范围在10nm到1000um，其材质采用氧化硅或者氮化硅；再通过光刻、电镀工艺在绝缘层上做焊盘，焊盘的金属采用铜、铝、镍、银、金或锡，焊盘本身结构为一层或多层，焊盘要开窗的直径为10um到10000um；通过光刻、干法刻蚀工艺在盖板表面制作凹坑，凹坑为立方形、倒梯形、圆柱形或者半球形，其尺寸范围在10um到10000um之间，凹坑尺寸包括立方形、倒梯形的长宽高或者圆柱形、半球形的直径、高度；105）密封步骤：把功能芯片贴装在底座上，盖板和底座进行晶圆级键合完成密封，键合温度在200到500度，切割得到单一模组，并把单一模组安装在带有光纤的PCB板上完成光路联通。