[发明专利]兼具压力传感的可降解脑电极阵列及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201811172002.3 申请日: 2018-10-09
公开(公告)号: CN109381183A 公开(公告)日: 2019-02-26
发明(设计)人: 郭维;董树荣;陈婉珂;魏旭辉;王光明;金浩;裴夏川 申请(专利权)人: 浙江大学昆山创新中心
主分类号: A61B5/0478 分类号: A61B5/0478;C23C14/04;C23C14/34;G01L9/02
代理公司: 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 代理人: 董建林
地址: 215347 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种兼具压力传感的可降解脑电极阵列,包括可降解的衬底、压力传感器、电极阵列和封装层;封装层和衬底从上往下依次设置,压力传感器和电极阵列均位于封装层和衬底之间,衬底、压力传感器、电极阵列和封装层层压成型。同时也公开了制备方法。本发明集成有压力传感,在采集脑电信号的同时对皮层肿胀进行监测,同时本发明均采用可降解材料,能够最大程度减小对脑部的损伤、避免手术移除电极带来的感染风险并提高采集的脑电信号的质量。
搜索关键词: 衬底 压力传感器 电极阵列 封装层 可降解 压力传感 脑电极 制备 采集脑电信号 可降解材料 程度减小 发明集成 脑电信号 依次设置 皮层 有压力 电极 肿胀 传感 脑部 移除 封装 成型 损伤 采集 感染 监测
【主权项】:
1.兼具压力传感的可降解脑电极阵列,其特征在于:包括可降解的衬底、压力传感器、电极阵列和封装层;封装层和衬底从上往下依次设置,压力传感器和电极阵列均位于封装层和衬底之间,衬底、压力传感器、电极阵列和封装层层压成型。
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