[发明专利]兼具压力传感的可降解脑电极阵列及其制备方法在审
| 申请号： | 201811172002.3 | 申请日： | 2018-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN109381183A | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 郭维;董树荣;陈婉珂;魏旭辉;王光明;金浩;裴夏川 | 申请（专利权）人： | 浙江大学昆山创新中心 |
| 主分类号： | A61B5/0478 | 分类号： | A61B5/0478;C23C14/04;C23C14/34;G01L9/02 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 215347 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 压力传感器 电极阵列 封装层 可降解 压力传感 脑电极 制备 采集脑电信号 可降解材料 程度减小 发明集成 脑电信号 依次设置 皮层 有压力 电极 肿胀 传感 脑部 移除 封装 成型 损伤 采集 感染 监测 | ||
1.兼具压力传感的可降解脑电极阵列，其特征在于：包括可降解的衬底、压力传感器、电极阵列和封装层；封装层和衬底从上往下依次设置，压力传感器和电极阵列均位于封装层和衬底之间，衬底、压力传感器、电极阵列和封装层层压成型。
2.根据权利要求1所述的兼具压力传感的可降解脑电极阵列，其特征在于：压力传感器和电极阵列的连接头均位于所述可降解脑电极阵列的同一端。
3.根据权利要求1或2所述的兼具压力传感的可降解脑电极阵列，其特征在于：压力传感器和电极阵列的连接头采用金手指结构。
4.根据权利要求1所述的兼具压力传感的可降解脑电极阵列，其特征在于：压力传感器的主体和电极阵列的触点均位于所述可降解脑电极阵列的同一端。
5.根据权利要求1或4所述的兼具压力传感的可降解脑电极阵列，其特征在于：压力传感器的主体为蛇形结构。
6.根据权利要求1所述的兼具压力传感的可降解脑电极阵列，其特征在于：衬底和封装层均为PLLA/PCL复合材料制备成的薄膜。
7.根据权利要求1所述的兼具压力传感的可降解脑电极阵列，其特征在于：压力传感器和电极阵列材料均为金属Mo。
8.兼具压力传感的可降解脑电极阵列的制备方法，其特征在于：包括以下步骤，
形成衬底和封装层：溶解可降解材料，将得到溶液旋涂在两个基底上，烘干后得到衬底和封装层；
压力传感器和电极阵列成型：利用金属掩膜板，通过溅射沉积金属，在衬底上形成压力传感器和电极阵列图案；
加工封装层：从基底剥离封装层，并剪去需要露出连接头和触点的部分；
层压成型：将加工后的封装层以及溅射有压力传感器和电极阵列图案的衬底层压成型，最后将成品从基底剥离。
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