[发明专利]存储器元件及其制作方法有效
| 申请号： | 201811170222.2 | 申请日： | 2018-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN109767798B | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 吕函庭 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4063 | 分类号： | G11C11/4063;G11C11/4074 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种存储器元件及其制造方法，该存储器元件包括用于执行积项和操作的一立体存储单元阵列，立体存储单元阵列中的多个存储单元设置在多条垂直线与多条水平线的交叉点上，这些存储单元具有多个可写入电导。一栅极驱动器，耦接至多条栅极线，用来施加控制栅极电压，以结合存储单元的可写入电导来对应积项和操作中的多个乘积项的权重W |
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| 搜索关键词： | 存储器 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储器元件，包括：具有多个存储单元的一立体存储单元阵列，用于执行一积项和(sum‑of‑products)操作，该立体存储单元阵列中的这些存储单元被设置在多条垂直线与多条水平线的多个交叉点(cross‑points)上，其中这些存储单元具有多个可写入电导(programmable conductances)；一栅极驱动器(gate driver)，耦接至用来施加多个控制栅极电压(control gate voltages)的多条栅极线，其中这些控制栅极电压结合这些存储单元的这些可写入电导，用以对应该积项和操作中多个乘积项(terms)的多个权重Wxyz；一输入驱动器(input driver)，用来施加多个电压至该立体存储单元阵列中的这些存储单元，以对应多个输入变量Xy；以及一感测电路(sensing circuit)，用来感测从该立体存储单元阵列中的这些存储单元的一电流总和，以对应该积项和。
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