[发明专利]一种光敏三极管芯片的布局设计方法、生产工艺及光耦

摘要

本发明公开一种光敏三极管芯片的布局设计方法，包括以下步骤：在硅片上设置单片光敏三极管芯片，将单片光敏三极管芯片在硅片上阵列排布，阵列排布后的光敏三极管芯片为芯片阵列；在芯片阵列上设置测试点区域，测试点区域内的单片光敏三极管芯片的基区上设置基极PAD，非测试点区域的单片光敏三极管芯片的基区上不需要设置基极PAD。本发明在芯片阵列上设置测试点区域，且只在测试点区域内的光敏三极管芯片上设置用于测试的基极PAD，与现有技术相比，既可以满足测试要求，也可以增大非测试点区域的光敏三极管芯片的受光面积，从而提高光电耦合器的电流转换比。

主权项

1.一种光敏三极管芯片的布局设计方法，其特征在于，包括以下步骤：在硅片上设置单片光敏三极管芯片，所述单片光敏三极管芯片包括基区(1)、发射区、发射极PAD(2)和集电极，所述发射区设置在所述基区(1)表层，所述发射区外侧设置有防漏电环(3)，所述发射极PAD(2)设置在防漏电环(3)内，且与所述防漏电环(3)连接，所述集电极设置在芯片的底部；将所述单片光敏三极管芯片在硅片上阵列排布，阵列排布后的光敏三极管芯片为芯片阵列；在芯片阵列上设置测试点区域，测试点区域内的单片光敏三极管芯片的基区(1)上设置基极PAD(4)，非测试点区域的单片光敏三极管芯片的基区(1)上不需要设置基极PAD(4)。