[发明专利]IGBT功率器件在审
| 申请号： | 201811147957.3 | 申请日： | 2018-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN110970497A | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 刘伟;袁愿林;刘磊;毛振东 | 申请（专利权）人： | 苏州东微半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423;H01L29/08 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 215028 江苏省苏州市苏州工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于IGBT功率器件技术领域，具体公开了一种IGBT功率器件，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底中的至少一组相邻的第一栅沟槽和第二栅沟槽；位于所述第一栅沟槽和第二栅沟槽之间的体区；位于所述体区中的发射极区；分别位于所述第一栅沟槽和第二栅沟槽中的栅介质层和控制栅；位于所述体区上方的一个发射极接触孔，所述发射极接触孔延伸至所述第一栅沟槽上方，所述体区、所述发射极区和所述第一栅沟槽中的控制栅均通过所述发射极接触孔中的发射极金属层外接发射极电压。本发明可以减小IGBT功率器件中相邻的栅沟槽之间的间距，从而可以减小IGBT功率器件芯片的尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | igbt 功率 器件 | ||
【主权项】：
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